拉晶過(guò)程全程自動(dòng)化
在惰性氣體環(huán)境中，用石墨加熱器將硅材料熔化，
用直拉法生長(cháng)無(wú)位錯單晶的設備。
性能優(yōu)勢
大直徑設計結構：匹配大直徑單晶硅棒生長(cháng)所需空間。
可采用連續加料裝置。
采用超低碳不銹鋼材料，結構穩定。
| 8英寸硅部件級單晶爐 | |||
| 型號 | FT-CZ1200Si | ||
| 場(chǎng)所 | 周?chē)鷾囟?/td> | 15~30℃ | |
| 周?chē)鷿穸?/td> | ≤65%（無(wú)結露，腐蝕氣體） | ||
| 潔凈度 | 一般環(huán)境水平 | ||
| 噪音 | ≤75db | ||
| 地基 | 3000kg/㎡以上 | ||
| 電源 | 額定電壓 | 3P 380VAC±10% 50/60Hz | |
| 額定電容 | 320kVA | ||
| 額定流量 | 500A | ||
| 冷卻水 | 流量范圍 | 350~400L/min | |
| 供給壓力 | 0.3~0.4MPa | ||
| 重量 | 設備高度 | ＜8250mm △ | |
| 設備重量 | 約10T | ||
△ 項數據視上爐筒高度而定，本設備數據不含磁場(chǎng)。
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